2015/10/19 

p.3 

EMBE0N10JS

V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

0

0

1

DS

24

8.0V

V   = 10V

2

3

7.0V

GS

5.0V

68

10

On‐Region Characteristics

5

4

6.0V

On‐Resistance Variation with Temperature

T   ‐ Junction Temperature (°C)

0.4

‐50

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = 0.9A

V   = 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 125°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0.20

2

0.30

0.50

0.40

GS

46

T   = 25°C

A

A

0.90

0.70

0.60

0.80

1.00

810

I   = 0.5 A

D

T   = ‐55°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

2

0.5

0

1.0

3

GS

V   = 10V

2.0

1.5

2.5

3.0

DS

A

5

4

6

25°C

125°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

T   = 125°C

V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

A

GS

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

6.0 V

1.15

0.95

0

1.05

1.00

1.10

12

1.30

1.20

1.25

1.35

34

7.0 V

8.0 V

10 V

5

I   ‐ Drain Current( A )

D

GS

V    = 5.0 V