2013/12/20 

p.5 

EMDA0P10F

V     = ‐ 50V

Q   ‐ Gate Charge(nC)

0

0

2

4

15

g

D

I   = ‐ 11A

6

8

10

30

45

60

‐ 80V

DS

Gate Charge Characteristics

‐ V   , Drain‐Source Voltage( V )

0

0

1000

2000

DS

10

Crss

Coss

3000

4000

5000

Ciss

20

30

40

GS

f = 1 MHz

V   = 0 V

Capacitance Characteristics

D C

‐ V      ‐   Dr a i n ‐ So u r c e   Vo l t a g e (   V   )

   V      =  ‐ 10 V

Si n g l e   Pu l s e

R     =   3. 3° C / W

   T     =   25 ° C

DS

 JC

C

GS

R  

    

    

L im

it

D S

(O

N )

10

10 0

1

0. 01

0. 1

1

10

100

10

0m

S

1 0

m

S

1m

S

10

0u

S

Ma x i m u m   Sa f e   Op e r a t i n g   Ar e a

1000

10

uS

Single Pulse Time( sec ) 

Single Pulse Maximum Power Dissipation

0.01

0

1000

500

0.1

1

2500

1500

2000

3000

10

100

1000

R    = 3.3 C/W

Single Pulse

C

°

T  = 25 C

θJC

°

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

single pulse

D=0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

Transient Thermal Response Curve

10

‐2

10

0

‐1

10

10

1

0

10

10

‐1

‐2

10

10

‐3

‐4

10

10

‐5