2013/12/20 

p.4 

EMDB0N25F

V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

0

0

5

DS

5

10

8.0V

V   = 10V

10

15

7.0V

GS

15

20

25

On‐Region Characteristics

25

20

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

1.6

0.8

0

1.2

1.0

1.4

5

10

2.2

1.8

2.0

2.4

15

20

8.0 V

10 V

25

I   ‐ Drain Current( A )

D

GS

V    = 7.0 V

On‐Resistance Variation with Temperature

T   ‐ Junction Temperature (°C)

0.4

‐50

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = 9A

V     = 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 125°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0.05

2

0.15

0.35

0.25

GS

4

6

T   = 25°C

A

A

0.75

0.55

0.45

0.65

0.85

810

I   = 4.5 A

D

T   = ‐55°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

3

3

0

6

4

GS

V   = 10V

12

9

15

18

DS

A

6

5

7

25°C

125°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

T   = 125°C

V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

A

GS

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

 

TYPICAL CHARACTERISTICS