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AW3206 Datasheet(PDF) 4 Page - Shanghai awinic technology co.,ltd

Part # AW3206
Description  LIthIum-IonIzed P-MOSFET LIthIum Battery Charge
PDF  14 Pages
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Manufacturer  AWINIC [Shanghai awinic technology co.,ltd]
Direct Link  http://www.awinic.com.cn/index.php
Logo AWINIC - Shanghai awinic technology co.,ltd

AW3206 Datasheet(HTML) 4 Page - Shanghai awinic technology co.,ltd

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AW3206 产品手册
2016 年 5 月 V1.3.1
版权所有© 2016 上海艾为电子技术有限公司
第 4 页 共 14 页
电气特性
测试条件:TA=60℃,ACIN=5.0V,VBAT=3.8V(除非特别说明)。
参数
条件
最小
典型
最大
单位
ACIN
IACIN
静态电流
IOUT=0A,ICHRIN=0A
0.9
1.1
1.4
mA
VPOR
上电复位电压
ACIN 从 0V 升高至 3V
2.56
3.0
V
Vhys(POR)
上电复位迟滞电压
ACIN 从 3V 降低至 0V
380
mV
TBLK
上电复位延时
3
ms
输入与输出之间导通电阻
RDS(ON)
ACIN 与 OUT 之间导通电阻
IOUT=0.7A,ACIN=5.0V,
GATDRV=0V
0.6
Ω
CHRIN 与 OUT 之间导通电阻
IOUT=0.7A,ACIN=5.0V,
GATDRV=0V
0.3
Ω
输入过压保护
VOVP
输入过压保护
ACIN 上升
6.6
6.8
7
V
Vhys(OVP)
OVP 迟滞电压
230
280
330
mV
TDGL(OVP)
OVP 去毛刺时间
100
ns
TREC(OVP)
OVP 撤消延时
3
ms
输入限流保护
IOCP
限流电流
1.2
A
ISHORT
输出碰地限流电流
150
mA
电池过压保护
VBOVP
电池过压保护
VBAT 电压上升
4.4
V
Vhys(BOVP)
电池过压保护迟滞
230
260
290
mV
IVBAT
VBAT 引脚漏电流
VBAT=4.2V
20
nA
内置 P-MOSFET
VCHRIN_VOUT 锁定阈值
CHRIN 由低升高,
P-MOSFET 受 GATDRV 控制
160
mV
CHRIN 由高变低,
P-MOSFET 关闭
40
mV
IOFF
P-MOSFET 关断电流
ACIN=5V,
CHRIN=GATDRV,OUT=0V
1
μA
IGATDRV
GATDRV 引脚漏电流
1
μA
ILKG
OUT 引脚反灌电流
ACIN=0V,OUT=4.2V,
GATDRV=0V
1
μA
CG
P-MOSFET 输入电容
100
pF
RG
P-MOSFET 输入电阻
120
Ω
过热保护
TOTP
过热保护温度
146
℃
Thys
过热保护迟滞温度
22
℃



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