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AW3206 Datasheet(PDF) 4 Page - Shanghai awinic technology co.,ltd |
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4 / 14 page ![]() AW3206 产品手册 2016 年 5 月 V1.3.1 版权所有© 2016 上海艾为电子技术有限公司 第 4 页 共 14 页 电气特性 测试条件:TA=60℃,ACIN=5.0V,VBAT=3.8V(除非特别说明)。 参数 条件 最小 典型 最大 单位 ACIN IACIN 静态电流 IOUT=0A,ICHRIN=0A 0.9 1.1 1.4 mA VPOR 上电复位电压 ACIN 从 0V 升高至 3V 2.56 3.0 V Vhys(POR) 上电复位迟滞电压 ACIN 从 3V 降低至 0V 380 mV TBLK 上电复位延时 3 ms 输入与输出之间导通电阻 RDS(ON) ACIN 与 OUT 之间导通电阻 IOUT=0.7A,ACIN=5.0V, GATDRV=0V 0.6 Ω CHRIN 与 OUT 之间导通电阻 IOUT=0.7A,ACIN=5.0V, GATDRV=0V 0.3 Ω 输入过压保护 VOVP 输入过压保护 ACIN 上升 6.6 6.8 7 V Vhys(OVP) OVP 迟滞电压 230 280 330 mV TDGL(OVP) OVP 去毛刺时间 100 ns TREC(OVP) OVP 撤消延时 3 ms 输入限流保护 IOCP 限流电流 1.2 A ISHORT 输出碰地限流电流 150 mA 电池过压保护 VBOVP 电池过压保护 VBAT 电压上升 4.4 V Vhys(BOVP) 电池过压保护迟滞 230 260 290 mV IVBAT VBAT 引脚漏电流 VBAT=4.2V 20 nA 内置 P-MOSFET VCHRIN_VOUT 锁定阈值 CHRIN 由低升高, P-MOSFET 受 GATDRV 控制 160 mV CHRIN 由高变低, P-MOSFET 关闭 40 mV IOFF P-MOSFET 关断电流 ACIN=5V, CHRIN=GATDRV,OUT=0V 1 μA IGATDRV GATDRV 引脚漏电流 1 μA ILKG OUT 引脚反灌电流 ACIN=0V,OUT=4.2V, GATDRV=0V 1 μA CG P-MOSFET 输入电容 100 pF RG P-MOSFET 输入电阻 120 Ω 过热保护 TOTP 过热保护温度 146 ℃ Thys 过热保护迟滞温度 22 ℃ |
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