HM103D datasheet(4/11 Pages) HMSEMI

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电性参数( Tj=‐25℃ to +85℃)

参数

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

供电及反馈部分

工作电压范围

VBP

TJ=25℃

3.0

4.5

6.5

上电重启电压阈值

VBP(Reset)

2.5

2.8

3.1

工作电流

IBP(SC)

VBP=4.3V,RREF=38.3K,

TJ=25℃

200

BP 脚钳位电压阈值

vBP(CLAMP)

IBP=8mA

5.5

6.5

反馈基准电压

RREF=38.3K,Class A

0.37

0.385

0.4

RREF=12.4K,Class B

0.36

0.375

0.39

数据线（

D+/D-）监测部分

数据监测电压

VDAT(REF)

0.250

0.325

0.400

输出电压选择

参考基准电压

VSEL(REF)

1.8

2.0

2.2

短路延迟时间

TDAT(SHORT)

VBP≧0.8V

输出电压检测

滤波延迟时间

TGLITCH(V)

_CHARGE

D+ 泄放电阻

RDAT(LKG)

VBP=3.1-6.3V,

VD+=0.5-3.6V,N1 is Off

300

900

1500

KΩ

D- 下拉电阻

RDM(DWON)

19.5

KΩ

N1 导通阻抗

RDS(ON)_N1

VBP=4.3V,VD+≦3.6V,

IDRAIN=200uA

Ω

反馈部分

升电压切换

电流源步径

ΔIT(UP)

降电压切换

电流源步径

ΔIT(DO)

保护功能部分

输出过压保护阈值

VTH(OV)

QC2.0

Mode

IT(UP)

=0(5V)

1.44

1.52

1.60

IT(UP)

=40uA(9V)

1.60

1.72

1.84

IT(UP)

=70uA(12V)

1.74

1.87

2.00

IT(UP)

=150uA(20V)

2.12

2.28

2.44

QC3.0

Mode

RREF

=38.3K,

Class A

1.74

1.87

2.00

RREF

=12.4K,

Class B

2.12

2.28

2.44

输出过压保护

延迟时间

TD(0V)

输出过压保护

间隔延迟时间

TB(0V)

500

输出插拔错误

检测阈值

VTH(FA)

0.250

0.325

0.400

输出插拔错误

检测延迟时间

TD(FA)

FA/P 钳位电压

VCL

ICLAMP=100uA

过温保护检测阈值

VTH(TM)

1.12

1.20

1.28

过问保护检测延迟时间

TD(TM)

温度监测源电流

ITM

100

温度检测持续时间

TON(ITM)

温度检测占空比

DITM

保护模式漏电流

100

150

200

HM103D

HM103D Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM103D Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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