HM1168 datasheet(4/10 Pages) HMSEMI

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管脚描述：

序号

名称

功能描述

IN1

第一路比较器的负输入端。可以直接接到被监测的电压或者通过外部电阻

分压网络设置被监测电压的翻转阈值。

OUT1

第一路比较器的输出端。漏极开路输出端。当

IN1输入电压上升并且大于

比较器上行翻转阈值时，芯片内部从

OUT1接到GND的NMOSFET导通，

OUT1输出低电平；当IN1输入电压下降并且小于比较器下行翻转阈值时，

芯片内部从

OUT1接到GND的NMOSFET关断，OUT1输出高阻态。

IN2

第二路比较器的负输入端。可以直接接到被监测的电压或者通过外部电阻

分压网络设置被监测电压的翻转阈值。

OUT2

第二路比较器的输出端。漏极开路输出端。当

IN2输入电压上升并且大于

比较器上行翻转阈值时，芯片内部从

OUT2接到GND的NMOSFET导通，

OUT2输出低电平；当IN2输入电压下降并且小于比较器下行翻转阈值时，

芯片内部从

OUT2接到GND的NMOSFET关断，OUT2输出高阻态。

IN3

第三路比较器的负输入端。可以直接接到被监测的电压或者通过外部电阻

分压网络设置被监测电压的翻转阈值。

OUT3

第三路比较器的输出端。漏极开路输出端。当

IN3输入电压上升并且大于

比较器上行翻转阈值时，芯片内部从

OUT3接到GND的NMOSFET导通，

OUT3输出低电平；当IN3输入电压下降并且小于比较器下行翻转阈值时，

芯片内部从

OUT3接到GND的NMOSFET关断，OUT3输出高阻态。

IN4

第四路比较器的负输入端。可以直接接到被监测的电压或者通过外部电阻

分压网络设置被监测电压的翻转阈值。

OUT4

第四路比较器的输出端。漏极开路输出端。当

IN4输入电压上升并且大于

比较器上行翻转阈值时，芯片内部从

OUT4接到GND的NMOSFET导通，

OUT4输出低电平；当IN4输入电压下降并且小于比较器下行翻转阈值时，

芯片内部从

OUT4接到GND的NMOSFET关断，OUT4输出高阻态。

CHRG

比较器翻转阈值控制输入端。当此管脚为高电平时，比较器翻转阈值典型

值为

1.22V（比较器输入电压下降）；当此管脚为低电平时，比较器翻转阈

值典型值为

1.256V（比较器输入电压下降）。

没有连接。

HYS1

比较器迟滞(Hysteresis)设置输入端。逻辑输入端，

HYS1和HYS2一起设置

比较器迟滞

(Hysteresis)。

HYS2

GND

电源负输入端。

BLINK

输出闪烁控制输入端。逻辑输入端，当比较器输出端输出低电平时，如果

比较器翻转阈值控制输入端

CHRG为低电平，并且BLINK管脚为高电平，

则比较器输出端每隔约

500毫秒转换一次状态，高电平和低电平的持续时

间相同。

没有连接。

VDD

电源正输入端。

HM1168 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM1168 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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