 |
Electronic Components Datasheet Search |
|
|
Electronic Components Datasheet Search |
|
HM2103D Datasheet(PDF) 1 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HM2103D Datasheet(HTML) 1 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
|
1 / 6 page  50V，1.7A/2.3A 峰值电流，半桥驱动芯片 HM2103D 1 特性 BOST 二极管击穿电压 50V — 可安全应用于 36V 供电系统中 高峰值电流输出能力 — 峰值输出电流 1.7A — 带 1nF 负载上升时间 15ns — 峰值吸入电流 2.3A — 带 1nF 负载下降时间 10ns 内部集成 50V 耐压自举二极管 — 无需外接自举二极管 输入引脚内置下拉电阻 — 集成 110K 对地下拉电阻 — 输入信号兼容 3.3V/5V CMOS 输入 多种防共态导通技术 — 对输入信号进行逻辑运算，输入信号同为 高时，HO/LO 输出 0 电平，关断 MOSFET — 内部设置 150ns 死区时间 — 检测 HO、LO 口状态，反馈给逻辑电路， 避免出现 HO、LO 同时输出高电平 2 应用范围 半桥、全桥以及直流无刷电机驱动 UPS、逆变器以及 D 类型音频功放 无人机、电动自行车、电动工具 使用桥式结构的开关电源电路 3 说明 HM2103D是为使用双 N 沟道 VDMOS 功率管的桥式电 路设计的功率管栅极驱动 IC，可应用于直流有刷、 直流无刷电机以及类似感性负载的驱动电路中。 芯片的两个输入信号(HI、LI)分别控制高边驱动电路 输出(HO)和低边驱动电路输出(LO)。芯片设计了驱 动输出信号(HO、LO)状态检测电路，将输出信号的 状态反馈到内部逻辑，可有效避免出现高边、低边 功率管同时导通的情况。此外，内部还设计有约 150ns 时区时间，功率管开关速度小于 100ns 的应 用中，单片机输出信号可以不考虑死区时间设置。 芯片内部没有设计欠压锁定电路，可自行通过单片 机灵活设置电压保护点。 4 订购信息 产品型号 封装 工作温度 HM2103D SOP8 -20℃ ~ 85℃ HM2103D DFN8 -20℃ ~ 85℃ HM2103D 4 2 HB VSS 3 1 HI LI LI HI VDD 12V HO HS LO 0.1uF VBAT 5 6 7 8 2.2uF N1 N2 |
Similar Part No. - HM2103D |
|
Similar Description - HM2103D |
|
|
|
Link URL |
| Does ALLDATASHEET help your business so far? [ DONATE ] |
About Alldatasheet | Advertisement | Contact us | Privacy Policy | Link to Datasheet | Link Exchange | Manufacturer List All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
English ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
