HM3345 datasheet(7/8 Pages) HMSEMI

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HM3345是一款多工作模式、宽输入/输出范围的高

压 DC-DC LED 驱动芯片，可以工作于升压、降压、

和升降压模式。

启动与关机

HM3345内置软启动功能，当 COMP 电压上升至 1V

时，软启动结束，内置 MOSFET 开始开关。

当 COMP 电容值小于 8nF 时，COMP 电压以最大斜率

1V/ms 上升，软启动时间为 1ms；若需要更长的软

启动时间，可适当加大 COMP 端的电容，当 COMP 电

容大于 8nF 时，软启动充电电流以最大值 8uA 给

COMP 电容充电，直到 COMP 电压上升至 1V，此时

的软启动时间为��:

�� =

1�� ∗ C��

8��

tss

CCOMP

8nF

16nF

1ms

2ms

软启动时间与 COMP 电容关系曲线

当 DIM 端电压持续小于 0.2V 超过 15ms 时，

HM3345

进入关机状态。在此状态下静态电流减小至 80μA，

COMP 电容被放电至零。

LED 电流设置

LED 电流可通过连接在 CS 端和 VOUT 端之间外部

采样电阻设置。

该电阻值可通过下式计算：

R�� =

0.2

��

ILED 为 LED 的电流平均值。

模拟和 PWM 调光

HM3345支持模拟和 PWM 调光。当 DIM 电压小于

0.2V，芯片处于关机状态。在模拟调光模式下，当

DIM 电压在 0.55V—1.75V 范围内变化时，LED 电

流将在 0%—100%范围内线性变化。当 DIM 电压大

于 1.75V 时，LED 电流为最大值。在 PWM 调光模式

下，DIM 端高电平须大于 1.75V。在 DIM 端施加一

100Hz—1kHz PWM 信号，LED 平均电流将根据 PWM

占空比从 0%—100%变化。

过压保护

在升压和升/降压型应用中，LED 开路将触发过压

保护。过压保护点可通过外部分压电阻设置，OVP

比较器参考电压为 1.2V，迟滞 100mV。建议将过压

保护电压设置比正常 VOUT 电压高 30%以上。

过温调节功能

HM3345 具有过热调节功能，在驱动电源过热时逐

渐减小输出电流，从而控制输出功率和温升，使电

源温度保持在设定值，以提高系统的可靠性。芯片

内部设定过热调节温度点为 140℃。

电容选择

输入电容典型值为 10μF，

输出电容典型值为 1μF，

若需进一步减小输入/输出纹波，可选用更大的电

容。在开关频率下，输入/输出电容的容抗需尽可

能的小，建议使用 X5R 或 X7R 的陶瓷电容。CCOMP 被

用于环路补偿和软启动，推荐使用 1nF 的电容。

电感选择

建议电感范围为 10μH—47μH，为避免磁芯饱和，

建议选取电感饱和电流超过正常工作时电感电流

峰值 30%—40%的电感。

二极管选择

由于

HM3345开关频率较高，为了提高效率，建议

使用具有快恢复时间和低导通压降的肖特基二极

管作为整流二极管。肖特基二极管的平均电流等

级需大于平均输出电流。二极管反向击穿电压需

大于输出电压。

PCB 设计

在设计

HM3345 PCB 时，COMP 和VDD 的旁路电容需

要紧靠各自的引脚和芯片地,尤其是 VDD 电容的地

必须紧靠芯片电容的地。输入/输出电容的地尽可

能靠近芯片地，连线尽可能的粗，可以大块铺铜连

接。流过大电流的走线一定要短且粗，尽量缩短 RCS、

电感、二极管、输入/输出电容到芯片的连线。使

SW 线尽可能远离 RCS。

升压型、降压型、升降压型

LED 驱动芯片

HM3345 Datasheet(PDF) 7 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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