HM5457 datasheet(4/6 Pages) HMSEMI

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解除，回到正常状态。由于

P-和GND之间连接RP-S电阻，当负载断开， P- 电压被拉到地电位。当侦测到 P-

电位低于过流

1检测电压(VOI1)，芯片回到正常状态。

不正常充电电流情况

正常充电时，如果

P-电压降到充电检测电压以下 (

VCHA)，持间超过过充电压检测延时时间 (TOC)，M5457

关断充电

FET停止充电。这就被称为不正常充电电流检测。当放电FET导通并且P-电压将到充电检测电压(VCHA)

以下时不正常充电电流检测工作。过放电压情况时，当不正常的充电电流流入电池，在电池电压变到过放检测电压

并且持续时间达到过充检测电压延迟时间

(TOC)，

HM5457关断充电FET停止充电。

断开充电器，

P-和GND之间电压低于充电器检测电压(VCHA) 时，不正常充电电流模式解除。

负载短路情况

如果

P-电压高于短路保护电压(VOI2),

HM5457将与负载断开停止放电。延迟时间不超过 TO I2。当P-电压低于

短路保护电压

(VOI2)时，例如负载被移除，负载短路情况将解除。

延时电路

当过放电流

1被检测到，过放电流2和负载短路的检测延时时间就开始计算。一旦测到过放电电流2或者负载短路

的时间超过过放电电流

2或负载短路的延迟时间，

HM5457 将停止放电。

当检测出过放电流，且超出过放检测延迟时间，这时若电池电压低于过放检测电压，系统将进入休眠状态。若

因为过放电流，过放电压降至过放检测电压，

HM5457将通过过放电流检测停止放电。

VDD

VIOV2

VIOV1

VSS

VDD

VSS

Overcurrent 2 detection detay time

图

2. 过电流延迟时间

注：当电池第一次接上保护电路时，这个电路可能不会进入正常模式，此时无法放电。如果产生这种现象，将

P-

与

GND 短路或连接充电器，就可以进入正常模式。



允许向

0V电池充电功能

此功能用于对已经自放电到

0V的电池进行再充电。当连接在电池正极和电池负极之间的充电器电压，高于“向

0V电池充电的充电器起始电压”时，充电控制用MOSFET的门极固定为VDD端子的电位，由于充电器电压使

MOSFET的门极和源极之间的电压差高于其导通电压，充电控制用MOSFET导通，开始充电。这时，放电控制用

MOSFET仍然是关断的，充电电流通过其内部寄生二极管流过。当电池电压高于过放电检测电压时，

HM5457进入

正常工作状态。

注意：

1. 某些完全自放电后的电池，不允许被再次充电，这是由锂电池的特性决定的。请询问电池供应商，确认所

购买的电池是否具备

“允许向0V电池充电”的功能，还是“禁止向0V电池充电”的功能。

2. “允许向0V电池充电功能”比“充电过流检测功能”优先级更高。因此。使用“允许向0V电池充电”功能的IC，在

电池电压较低的时候会强制充电。电池电压低于过放电检测电压以下时，不能进行充电过流状态的检测。

HM5457

二合一锂电池保护

HM5457 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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