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HM5470 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

Part # HM5470
Description  High precision two-cell lithium battery protection circuit
PDF  9 Pages
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Manufacturer  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
Direct Link  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5470 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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background image
电气参数
(除非特别注明，典型值的测试条件为：
R1=R2=330Ω，TA = 25℃。)
[表
-4] 电气参数
参数名称
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
供电电源
VDD
1.5
10
V
0V 电池充电开启电压
V0CHA
VBATU/D=0V,
升高（
VDD-VM）
1.2
V
过电压充电保护阈值
VOCU/D
VOCUTYP/
VOCDTYP-0.025
VOCUTYP/
VOCDTYP
VOCUTYP/
VOCDTYP+0.025
V
过电压充电恢复阈值
VOCRU/D
VOCRUTYP/
VOCRDTYP-0.050
VOCRUTYP/
VOCRDTYP
VOCRUTYP/
VOCRDTYP+0.050
V
过电压充电保护延迟时间
TOC
VBATU/D=3.5V 4.5V
VBATD/U=3.5V
0.7
1
1.3
s
过电压充电恢复延迟时间
TOCR
VBATU/D=4.5V 3.5V
VBATD/U =3.5V
11
16
21
ms
过电压放电保护阈值
VODU/D
VODUTYP/
VODDTYP-0.080
VODUTYP/
VODDTYP
VODUTYP/
VODDTYP+0.080
V
过电压放电恢复阈值
VODRU/D
VODRUTYP/
VODRDTYP-0.100
VODRUTYP/
VODRDTYP
VODRUTYP/
VODRDTYP+0.100
V
过电压放电保护延迟时间
TOD
VBATU/D=3.5V 2.2V
VBATD/U=3.5V
89
128
167
ms
过电压放电恢复延迟时间
TODR
VBATU/D=2.2V 3.5V
VBATD/U =3.5V
0.7
1.2
1.7
ms
过电流放电保护阈值
VEDI
VBATU=VBATD =3.6V
0.170
0.200
0.230
V
过电流放电保护延迟时间
TEDI
VBATU=VBATD =3.5V;
VM=0 0.5V
8
12
16
ms
过电流放电恢复延迟时间
TEDIR
VBATU=VBATD =3.5V;
VM=0.5 0V
0.7
1.2
1.7
ms
过电流充电保护阈值
VECI
VBATU=VBATD =3.6V
-0.230
-0.200
-0.170
V
过电流充电保护延迟时间
TECI
VBATU=VBATD =3.5V;
VM=0 -0.5V
5
8
11
ms
过电流充电恢复延迟时间
TECIR
VBATU=VBATD =3.5V;
VM=-0.5 0V
0.7
1.2
1.7
ms
电池短路保护阈值
VSHORT
VBATU=VBATD =3.5V
0.8
1.2
1.6
V
电池短路保护延迟时间
TSHORT
VBATU=VBATD =3.5V;
VM=0 7.0V
150
300
500
us
VM至VSS之间的下拉电阻
RVMS
VDD=7.0V;VM=1V
10
KΩ
VM至VDD之间的上拉电阻
RVMD
VBATU=VBATD =2V,
VM=0V
360
KΩ
COUT 输出低电平
VCOL
IO=10uA;
VBATU=VBATD =4.5V
0.5
0.7
V
COUT 输出高电平
VCOH
IO=-50uA;
VBATU=VBATD =3.9V
7.4
7.6
V
DOUT 输出低电平
VDOL
IO=10uA;
VBATU=VBATD =2.0V
0.4
0.6
V
DOUT 输出高电平
VDOH
IO=-50uA;
VBATU=VBATD =3.9V
7.4
7.6
V
电源电流
IDD
VBATU=VBATD =3.9V,
VM=0V
4.5
8.0
μA
待机电流
IS
VBATU=VBATD =2.0V
2.1
μA



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