HM5512 datasheet(4/11 Pages) HMSEMI

Part #	HM5512

Description	High precision built-in MOSFET single-cell lithium battery protection IC

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Manufacturer	HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]

Direct Link	http://www.hmsemi.com/

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5 极限参数

参数

符号

值

单位

VDD 输入电压

VDD

-0.3 ~ 7

VM 输入电压

-3 ~ 6

结温范围

-40 ~ 150

℃

存储温度范围

Tstg

-60 ~ 150

℃

热阻（结温到环境）

θJA

℃/W

人体模型（HBM）

ESD

*高于绝对最大额定值部分所列数值的应力有可能对器件造成永久性的损害，在任何绝对最大额定值条件下

暴露的时间过长都有可能影响器件的可靠性和使用寿命。

6 电气特性

除特别说明，TA=25℃

参数

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

电压检测

过充电压

3.5V-4.1V

step 50mV

4.1V-4.575V step 25mV

VCU

VCU-0.04

VCU

VCU+0.04

过充恢复电压

3.9-4.4V

step 50mV

3.4-3.9V

step 100mV

VCL

VCL-0.1

VCL

VCL+0.1

过放电压

2.2-2.9v

step 100mV

VDL

VDL-0.1

VDL

VDL+0.1

过放恢复电压

2.4-3.1v

step 100mV

VDR

VDR-0.1

VDR

VDR+0.1

充电检测电压

VCHA

-0.12

-0.2

过充电压保护延迟时间

tCU

240

320

400

过放电压保护延迟时间

tDL

120

电流检测

放电过流

IIOV

65% IIOV

IIOV

135% IIOV

充电过流

IIOC

65% IIOC

IIOC

135% IIOV

短路电流

ISC

HM5512 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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