HM8255 datasheet(4/19 Pages) HMSEMI

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电气参数

(除非特别注明，典型值的测试条件为：TA=25℃)

【表-4】电气参数

参数名称

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

供电电源

供电电压(VDD-GND)

VOP

3.5

供电电流

IOP

V1~5=3.3V

μA

低功耗模式静态电流

(低功耗允许型号)

IPWDN

V1~5=1.5V,

TA=-40

OC ~ 85OC

0.1

μA

检测电压

过电压充电保护阈值

(n=1~5)

VOCn

RV1~5=1kΩ

VOCn-TYP-0.025

VOCn-TYP

VOCn-TYP+0.025

过电压充电恢复阈值

(n=1~5)

VOCRn

VOCRn-TYP-0.025

VOCRn-TYP

VOCRn-TYP+0.025

过电压放电保护阈值

(n=1~5)

VODn

RV1~5=1kΩ

VODn-TYP-0.08

VODn-TYP

VODn-TYP+0.08

过电压放电恢复阈值

(n=1~5)

VODn

VODRn-TYP-0.08

VODRn-TYP

VODRn-TYP+0.08

过电流放电保护阈值 1

VEDI1

VL=0V0.3V

VEDI1-TYP-0.015

VEDI1-TYP

VEDI1-TYP+0.015

过电流放电保护阈值 2

VEDI2

VL=0V0.8V

VEDI2-TYP-0.100

VEDI2-TYP

VEDI2-TYP+0.100

过电流放电恢复 VM 电压

V M-EDIR

160

180

200

电池短路保护阈值

VSHORT

VM 电压

1.2

充电器检测电压

VCHA

VM 电压

-190

-160

-130

负载检测电压

VLOAD

130

160

190

外部禁止充电阈值

VENCH

1.0

1.5

2.5

0V 充电禁止电压

V0INH

进入低功耗模式 VM 阈值

VTHN-H

2/3*VDD

退出低功耗模式 VM 阈值

VTHN-L

1.0

输入

/输出电流

Vn输入电流(n=1~4)

IVn

Vn=3.3V (n=1~4)

μA

V5输入电流

IV5

Vn=3.3V (n=1~5)

μA

IOC端“H”输入电流

IOCH

Vn=3.3V (n=1~5),

IOC=VDD

0.01

μA

IOD端“H”输入电流

IODH

Vn=3.3V (n=1~5),

IOD=VDD

0.01

μA

IOC端“L”输出电流

IOCL

Vn=3.3V (n=1~5),

IOC=GND

-0.01

μA

IOD端“L”输出电流

IODL

Vn=3.3V (n=1~5),

IOD=GND

-0.01

μA

SEL端

“H”输入电流

ISELH

Vn=3.3V (n=1~5)

0.1

μA

SEL端

“L”输出电流

ISELL

Vn=3.3V (n=1~5)

-0.1

μA

输出电压

COUT 输出高电平

VCOH

3-cell 或 4-cell 应用,

ICO<20μA

VDD-0.2V

VDD

5-cell 应用

VDD-5.0V

VDD-3.0V

COUT 输出低电平

VCOL

ICO>-20μA

0.2

DOUT 输出高电平

VDOH

3-cell 或 4-cell 应用,

ICO<20μA

VDD-0.2V

VDD

5-cell 应用

VDD-5.0V

VDD-3.0V

HM8255

HM8255 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM8255 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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