SH79F166AP044PR datasheet(22/113 Pages) ETC1

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SH79F166A

Flash存储器支持以下操作：

(1) 代码保护控制模式编程

SH79F166A的代码保护功能为用户代码提供了高性能的安全措施。每个分区有两种模式可用。

代码保护模式0：允许/禁止任何编程器的写入/读取操作（不包括整体擦除）。

代码保护模式1：允许/禁止在其他扇区中通过MOVC指令进行读取操作，或通过SSP模式进行擦除/写入操作。

用户必须使用下列2种方式之一才能完成代码保护控制模式的设定：

1. Flash编程器在ICP模式设置相应的保护位，以进入所需的保护模式。

2. SSP模式不支持代码保护控制模式编程。

(2) 整体擦除

无论代码保护控制模式的状态如何，整体擦除操作都将会擦除所有程序，代码选项，代码保护位，但是不会擦除类EEPROM

存储区。

用户必须使用下列方式才能完成整体擦除：

Flash编程器在ICP模式发出整体擦除指令，进行整体擦除。

SSP模式不支持整体擦除。

(3) 扇区擦除

扇区擦除操作将会擦除所选扇区中内容。用户程序（SSP）和Flash编程器都能执行该操作。

若需用户程式执行该操作，必须禁止所选扇区的代码保护控制模式1。

若需Flash编程器执行该操作，必须禁止所选扇区的代码保护控制模式0。

用户必须使用下列2种方式之一才能完成扇区擦除：

1. Flash编程器在ICP模式发出扇区擦除指令，进行扇区擦除。

2. 通过SSP功能发出扇区擦除指令，进行扇区擦除（详见在扇区自编程章节）。

(4) 类EEPROM存储区擦除

类EEPROM存储区擦除操作将会擦除类EEPROM存储区中的内容。用户程序（SSP）和Flash编程器都能执行该操作。

用户必须使用下列2种方式之一才能完成类EEPROM存储区擦除：

1. Flash编程器在ICP模式发出类EEPROM存储区擦除指令，进行类EEPROM存储区擦除。

2. 通过SSP功能发出类EEPROM存储区擦除指令，进行类EEPROM存储区擦除（详见在扇区自编程章节）。

(5) 写/读代码

读/写代码操作可以将代码从Flash存储器中读出或写入。用户程序（SSP）和Flash编程器都能执行该操作。

若需用户程式执行该操作，必须禁止所选扇区的代码保护控制模式1。不管安全位设置与否，用户程序都能读/写程式自身所

在扇区。

若需编程器执行该操作，必须禁止所选扇区的代码保护控制模式0。

用户必须使用下列2种方式之一才能完成写/读代码：

1. Flash编程器在ICP模式发出写/读代码指令，进行写/读代码。

2. 通过SSP功能发出写/读代码指令，进行写/读代码。

(6) 写/读类EEPROM存储区

读/写类EEPROM存储区操作可以将数据从类EEPROM存储区中读出或写入。用户程序（SSP）和Flash编程器都能执行该

操作。

用户必须使用下列2种方式之一才能完成写/读类EEPROM存储区：

1. Flash编程器在ICP模式发出写/读类EEPROM存储区指令，进行写/读类EEPROM存储区。

2. 通过SSP功能发出写/读类EEPROM存储区指令，进行写/读类EEPROM存储区。

Flash存储器操作汇总

操作

ICP

SSP

代码保护

支持

不支持

扇区擦除

支持（无安全位）

整体擦除

支持

不支持

类EEPROM存储区擦除

支持

写/读代码

支持（无安全位）

读/写类EEPROM存储区

支持

SH79F166AP044PR Datasheet(PDF) 22 Page - List of Unclassifed Manufacturers

SH79F166AP044PR Datasheet(HTML) 22 Page - List of Unclassifed Manufacturers

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