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HM5519 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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HM5519 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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4 / 6 page ![]() 电气特性 ( VEN= VDD =3.6V, Gain=24dB, RL=8Ω ,TA=25℃,unless otherwise specification) Parameters Test Condition Min Typ Max Unit 电压 过充电压 VCU 4.28 V 过充释放电压 VCUR 4.15 V 过充电压 ( VCU*) 4.425 V 过充释放电压 ( VCUR*) 4.25 V 过放电压 VDL 2.50 V 过放释放电压 VDLR 3.00 V 充电检测 VCHDT -0.50 V 电流 过放电流 IOC1 0.9 A 短路电流 ISC 5 A 工作电流 IQ 2.2 uA 关断电流 ISD 0.1 uA 延迟时间 过充电压保护延迟时间 tCU 200 mS 过放电压保护延迟时间 tDL 50 mS 过放电流 1 保护延迟时间 TOC1 12 mS 过放电流 2 保护延迟时间 TOC2 2.5 mS 短路保护延迟时间 TSC 40 uS 功率管内阻 Ron 30 mΩ 高温保护点 TOVP 100 ℃ 高温保护迟滞 20 ℃ 注 : *为可选择项 应用说明 HM5519检测电池电压和电流,通过内置过充电压保护,过放电压保护,过放电流保护,短路保护实现电 池芯与负载或充电器断开,实现系统安全使用。 正常工作模式 没有触发任何保护条件下,芯片为正常工作模式,此时电池充电和放电自由转换。电芯首次和芯片连接时 有可能需要插入充电器激活才能进入正常工作模式。 过充电压保护 HM5519 |
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