MIP2E4DMY datasheet(1/3 Pages) PANASONIC

Part #	MIP2E4DMY

Description	MIP2E4DMY

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Manufacturer	PANASONIC [Panasonic Semiconductor]

Direct Link	http://www.panasonic.com/industrial/

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インテリジェントパワーデバイス(IPD)

1

発行年月 : 2001年8月

SLB00030

BJD

MIP2E4DMY

シリコンMOS形集積回路

I 特長

• 軽負荷時の消費電力を大幅に削減

• 各種保護回路機能内蔵によりリアルタイムの保護が可能

I 用途

• スイッチング電源制御用

I 絶対最大定格 T

a = 25°C ± 3°C

項目

記号

定格

単位

ドレイン電圧

VD

700

V

コントロール電圧

VC

10

V

出力電流

ID

1.72

A

出力ピーク電流

IDP

2.4

A

コントロール電流

IC

0.1

A

チャネル部温度

Tch

150

°C

保存温度

Tstg

−55 ∼ +150

°C

Unit : mm

形名表示記号 : MIP2E4DMY

10.5±0.5

4.5±0.2

9.5±0.2

1.4±0.1

2.5±0.2

0.6

+0.1

–0.2

1.4±0.1

0.8±0.1

φ 3.7±0.2

8.0±0.2

5.08±0.5

2.54±0.3

13

2

1 : Control

2 : Sour

ce

3 : Drain

TO-220-A1 Package

I ブロック図

起動用定電流

オン時

ブランキング

パルス発生回路

過電流

保護

ドレイン電流

検出用

スロープ

補償

軽負荷検出

間欠発振制御用

再起動トリガ

過熱保護回路

内部電源供給

タイマ

間欠動作回路

パワー

MOSFET

ゲート

ドライバ

V-I

変換器

エラーアンプ

S

R

Q

S

R

Q

Max Duty

Clock

Sawtooth

発振器

1

Drain

Control

3

2

Source

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