BL75R02 datasheet(2/5 Pages) BELLING

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BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别

（RFID）芯片

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8/16/2006

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三、功能描述

BL75R02 原理图

原理图

存储器结构

BL75R02 的存储器结构如下表所示。512 位 EEPROM 共分为 16 块，每块 4 字节 32 位。

块是最小的读写单位。每个字节的第 0 位和第 7 位分别为 LSB 和 MSB。

Byte0

Byte1

Byte2

Byte3

Block 0

UID 0

UID 1

UID 2

UID 3

Block 1

UID 4

UID 5

UID 6

UID 7

芯片唯一序

列号

Block 2

写保护

Block 3

Block 4

Family code

Application ID

特殊功能位

……

用户数据

Block15

表中列出了出厂时芯片的 EEPROM 中所存储的数据。其中，X 表示数据待定。

2.1

芯片唯一序列号（

芯片唯一序列号（UID）

）

芯片唯一序列号在芯片制造过程中写入，并永不能被改写。UID 的计数方式为从 LSB1

到 MSB64，与字节中的位计数方式相反。UID 的格式如下表所示。

MSB

LSB

“E0”

注册号

“01”

芯片制造商序列号

UID 7

UID 6

UID 5

UID 4

UID 3

UID 2

UID 1

UID 0

BL75R02 Datasheet(PDF) 2 Page - SHANGHAI BELLING CO., LTD.

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