2016/10/3

p.4

EMF04P02H

-V - Gate-Source Voltage( V )

0.5

0

30

GS

1.0

1.5

V = - 5V

60

90

120

DS

2.5

2.0

3.0

125°C

25°C

Transfer Characteristics

T = -55°C

A

T   = 25°C

‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0.008

0

0

0.004

0.012

1

GS

2

A

0.024

0.016

0.020

0.028

A

T   = 125°C

3

45

I   = ‐ 20A

D

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

I      = ‐ 20 A

T   ‐ Junction Temperature (°C)

‐50

0.4

0.7

1.0

J

‐25

0

25

50

D

V     = ‐ 4.5V

1.3

1.6

1.9

GS

150

100

75

125

On‐Resistance Variation with Temperature

‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

0

0

50

1

DS

200

100

150

‐3.0V

‐2.5V

23

4

‐4.0V

‐3.5V

V   = ‐4.5 V

GS

Typical output characteristics

‐1.8V

5

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

T   = 125°C

‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

A

GS

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

‐2.5V

‐3.5V

‐4.5V

VGS= ‐1.8V

0

40

80

120

200

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

2.6

‐ ID, Drain Current( A )

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

160

‐4.0V

‐3.0V