BC807 / BC808

BC807 / BC808

PNP

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Version 2007-04-13

Dimensions - Maße [mm]

1 = B

2 = E

3 = C

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

BC807

BC808

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short

50 V

30 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open

45 V

25 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW 1)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

800 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

1 A

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

1 A

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)

Group -16

Group -25

Group -40

100

160

250

–

–

–

250

400

630

all groups

40

–

–

–

–

0.7 V

–

–

1.3 V

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

1.1

0.4

1

2

3

Type

Code

1.9