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MIP289 Datasheet(PDF) 1 Page - Panasonic Semiconductor |
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MIP289 Datasheet(HTML) 1 Page - Panasonic Semiconductor |
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1 / 3 page  インテリジェントパワーデバイス(IPD) 1 MIP289 シリコンMOS形集積回路 I 特 長 • 高耐圧パワーMOSFET とCMOS 制御回路の集積化により, 大幅な使用部品点数の削減が実現 • 軽負荷時になるほど発振回数を少なくするといった新制御 方式により , 軽負荷時のスイッチングロスを大幅に削減し , 低消費電力化を実現 • IPD内蔵制御回路部の消費電流を150 µAにまで低減し, IPD 自身の消費電力も極力削減 • 保護機能としてパルスバイパルス過電流保護, 過熱保護を 内蔵 I 用 途 • スイッチング電源(∼ 60 W) • ACアダプタ • バッテリーチャージャ I 絶対最大定格 T a = 25°C ± 3°C 項目 記号 定格 単位 ドレイン電圧 VD 700 V バイパス電圧 VB 7V フィードバック電圧 VF 5V 出力電流 ID 280 mA 出力ピーク電流 IDP 420 mA チャネル部温度 Tch 150 °C 保存温度 Tstg −55 ∼ +150 °C Unit : mm I ブロック図 バイパス 端子 ドレイン 端子 ソース 端子 (3, 7, 8) フィード バック 端子 オン時 ブランキング パルス発生回路 Max Duty Clock 再起動の トリガ回路 過熱保護回路 レギュレータ S R Q GND 1 4 5 2 形名表示記号 : MIP289 9.4±0.3 2.54±0.25 0.4±0.1 0.5±0.1 1.2±0.25 (1,4,5,8PIN) (2,3,7PIN) 0.6±0.1 1234 87 5 1 : Bypass 2 : Source 3 : Source 4 : FB 5 : Drain 7 : Source 8 : Source DIP-8-A1(CF) Package |
Similar Part No. - MIP289 |
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Similar Description - MIP289 |
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