2

绝对值

ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃,unless otherwise specified)

项目

Parameter

符号

Symbol

数值

Ratings

单位

Unit

漏极－源极击穿电压

Drain-Source Breakdown Voltage

VDSS

650

V

漏极连续电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

ID

12*

A

TC=100°℃

7.6*

A

漏极脉冲电流（注

1）

Drain Current pulsed（note 1）

IDM

48*

A

最高栅源电压

Gate-Source Voltage

VGSS

±30

V

单脉冲雪崩能量（注

2）

Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）

EAS

605

mJ

重复雪崩能量（注

1）

Repetitive Avalanche Current （note 1）

EAR

121

mJ

二极管反向恢复最大电压变化速率（注

3）

Peak Diode Recovery dv/dt （note 3）

dv/dt

5

V/ns

耗散功率

Total Power Dissipation

TC=25℃

PD

45.2

W

Derate above 25℃

0.36

W/℃

最高结温

Operating Junction Temperature

TJ

150

℃

存储温度

Storage Temperature

TSTG

-55～+150

℃

焊接温度

Maximum Temperature for Soldering Leads

TL

300

℃

* 漏极电流由最高结温限制。

* Drain current is limited by junction temperature.

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（TJ=25℃,unless otherwise specified）

项目

Parameter

符号

Symbol

测试条件

Test conditions

最小值

Min

典型值

Typ

最大值

Max

单位

Unit

断态特性

Off Characteristics

漏－源击穿电压

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

ID=250μA, VGS=0V

650

-

-

V

击穿电压温度特性

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBVDSS/ΔTJ

ID=250μA,

referenced to 25℃

-

0.49

-

V/℃

漏源极漏电流

Drain-Source leakage Current

IDSS

VDS=650V,VGS=0V

-

-

1

μA

VDS=520V,TC=125℃

-

-

50

μA

栅源极漏电流

Gate-Source

leakage current

正向

Forward

IGSS

VDS=0V,VGS=30V

-

-

100

nA

反向

Reverse

VDS=0V,VGS=-30V

-

-

-100

nA

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