DIW040M120

Characteristics (static)

Kennwerte (statisch)

Tj = 25°C

Min.

Typ.

Max.

Collector-Emitter breakdown voltage – Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung

IC = 1 mA

VGS = 0 V (short)

V(BR)CES

1200 V

–

–

Collector-Emitter leakage current – Kollektor-Emitter Leckstrom

VCE = VCES

VGS = 0 V (short)

ICES

–

–

1 mA

Gate-Emitter leakage current – Gate-Emitter Leckstrom

VGS = ±20 V VCE = 0 V (short)

IGES

–

–

± 250 nA

Gate-Emitter threshold voltage – Gate-Emitter Schwellspannung

VGE = VCE

IC = 250 µA

VGE(th)

4.5 V

5.7 V

7.0 V

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VGE = 15 V

IC = 40 A

Tj = 25°C

Tj = 150°C

VCE(sat)

–

1.74 V

2.30 V

2.40 V

–

Characteristics (dynamic)

Kennwerte (dynamisch)

Tj = 25°C

Min.

Typ.

Max.

Input Capacitance – Eingangskapazität

VCE = 30 V

VGE = 0 V

f = 1 MHz

Ciss

–

4240 pF

–

Output Capacitance – Ausgangskapazität

VCE = 30 V

VGE = 0 V

f = 1 MHz

Coss

–

170 pF

–

Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität

VCE = 30 V

VGE = 0 V

f = 1 MHz

Crss

–

105 pF

–

Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit

VCC = 600 V IC = 40 A

VGE = +15 V

RG = 4.7 Ω

L = 500 µH

(Fig. 1)

td(on)

tr

–

37 ns

32 ns

–

Turn-Off Delay Time & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit

VCC = 600 V IC = 40 A

VGE = –15 V

RG = 4.7 Ω

L = 500 µH

(Fig. 1)

td(off)

tf

–

290 ns

47 ns

–

Turn-On Energy – Einschaltenergie

1)

VCC = 600 V IC = 40 A

VGE = +15 V

RG = 4.7 Ω

L = 500 µH

(Fig. 1)

Eon

–

3.2 mJ

–

Turn-Off Energy – Ausschaltenergie

2)

VCC = 600 V IC = 40 A

VGE = –15 V

RG = 4.7 Ω

L = 500 µH

(Fig. 1)

Eoff

–

2.3 mJ

–

Intrinsic Gate resistance – Innerer Gatewiderstand

f = 1 Mhz

C open

RGi

–

tbd Ω

–

1

Including reverse recovery losses – Einschließlich Sperrverzugsverluste

2

Including current tail losses – Einschließlich Stromschweifverluste

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

t

d(on)

V

GE

90%

10%

V

CE

t

r

t

d(off)

t

f

Fig. 1

Test circuit for switching

times and energies

(“rise“ and “fall“ refer to I )

C

Testaufbau für Schaltzeiten

und -Energien

(“rise“ und “fall“ beziehen sich auf I

C)

V

GE

R

G

V

CE

V

CC

I

C

L