ECH8501

No. A1581-2/5

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

min

typ

max

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB=(--)30V, IE=0A

(--)0.1

μA

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB=(--)4V, IC=0A

(--)0.1

μA

DC Current Gain

hFE

VCE=(--)2V, IC=(--)500mA

200

560

Gain-Bandwidth Product

fT

VCE=(--)10V, IC=(--)500mA

(260)280

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB=(--)10V, f=1MHz

(49)32

pF

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA

(--100)75

(--170)110

mV

Base-to-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA

(--)0.85

(--)1.2

V

Collector-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

IC=(--)10μA, IE=0A

(--30)40

V

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO

IC=(--)1mA, RBE=∞

(--)30

V

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

IE=(--)10μA, IC=0A

(--)6

V

Turn-On Time

ton

See specified Test Circuit.

(37)30

ns

Storage Time

tstg

See specified Test Circuit.

(147)220

ns

Fall Time

tf

See specified Test Circuit.

(14)12

ns

Note : The specifications shown above are for each individual transistor.

Switching Time Test Circuit

VR

RB

VCC=12V

VBE= --5V

+

+

50Ω

INPUT

Vout

RL

100μF

470μF

PW=20μs

IB1

D.C.≤1%

IB2

IC=20IB1= --20IB2=2.5A

(For PNP, the polarity is reversed.)

0

0

--1.0

--0.5

IC -- VCE

IT15618

--3.0

--2.0

--4.0

--5.0

--2.5

--1.5

--3.5

--4.5

--0.1

--0.3

--0.2

--0.4

--0.5

IB=0mA

--2mA

--4mA

--6mA

--8mA

--10mA

--40mA

--50mA

--30mA

--20mA

[PNP]

IC -- VCE

IT15619

[NPN]

0

0

1.0

0.5

3.0

2.0

4.0

5.0

2.5

1.5

3.5

4.5

0.1

0.3

0.2

0.4

0.5

IB=0mA

2mA

4mA

6mA

8mA

10mA

40mA

30mA

20mA

Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V

Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V