ZY1 ... ZY200 (2 W)

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

3

120

100

80

60

40

20

0

[%]

P

tot

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

1

1

[°C]

T

A

150

100

50

0

10

10

1

10

10

2

-1

-2

[A]

I

F

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

0.4

V

F

0.8

1.0

1.2

1.4

[V] 1.8

T = 25°C

j

T = 125°C

j

30a-(1a-1.1v)

[pF]

[V]

C

j

V

Z

T = 25°C

f = 1.0 MHz

j

V = 0V

R

V = 4V

R

V = 20V

R

V = 40V

R

Junction capacitance vs. zener voltage (typical)

Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)

Typ. thermal resistance vs lead length

Typ. therm. Widerst. in Abh. der Anschlusslänge

50

50

40

30

20

10

0

R

thL

[K/W]

[mm]

L

12

8

4

0

L

0

2

3

4

5

6

7

8

10

[V]

V

Z

[mA]

50

150

0

100

I

Z

Typical breakdown characteristic

Typische Abbruchspannung

– tested with pulses

– gemessen mit Impulsen

5,6

6,2

6,8

7,5

8,2

9,1

I

ZT

I

Zmax

1

T = 25°C

j

I = 5 mA

Z

10

18

24

30

36

43

51

62

56

68

75

82

91

100

T = 25°C

j

I

ZT

I

Zmax

Typical breakdown characteristic

Typische Abbruchspannung

– tested with pulses

– gemessen mit Impulsen