MPSA92 / MPSA94

MPSA92 / MPSA94

PNP

High voltage Si-epitaxial planar transistors

Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren

PNP

Version 2009-05-07

Dimensions / Maße [mm]

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

Weight approx.

Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

MPSA92

MPSA94

Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung

B open

300 V

400 V

Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung

E open

300 V

400 V

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung

C open

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

625 mW 1)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

300 mA

Base current – Basisstrom

100 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

-55...+150°C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

MPSA92

MPSA94

–

–

250 nA

250 nA

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

–

–

100 nA

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)

MPSA92

MPSA94

–

–

500 mV

500 mV

–

–

0.9 V

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

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2 x 2.54

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