GMB624 datasheet(2/2 Pages) GSME

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桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GMB624

■

ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性

(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)

Characteristic

特性參數

Symbol

符號

Test Condition

測試條件

Min

最小值

Typ

典型值

Max

最大值

Unit

單位

Collector Cutoff Current

集電極截止電流

ICBO

VCB=-30V,

IE=0

—

-0.1

Emitter Cutoff Current

發射極截止電流

IEBO

VEB=-5V,

IC=0

—

-0.1

Collector-Base Breakdown Voltage

集電極

-基極擊穿電壓

V(BR)CBO

IC=-100μA

-30

—

Collector-Emitter Breakdown Voltage

集電極

-發射極擊穿電壓

V(BR)CEO

IC=-1.0mA

-25

—

Emitter-Base Breakdown Voltage

發射極

-基極擊穿電壓

V(BR)EBO

IE=-100μA

-5

—

DC Current Gain

直流電流增益

HFE1

VCE=-1V,

IC=-100mA

110

200

400

—

DC Current Gain

直流電流增益

HFE2

VCE=-1V,

IC=-700mA

—

Collector-Emitter Saturation Voltage

集電極

-發射極飽和壓降

VCE(sat)

IC=-700mA,

IB=-70mA

—

-0.25

-0.6

Base-Emitter Saturation Voltage

基極

-發射極飽和壓降

VBE(sat)

IC=-700mA,

IB=-70mA

—

-1.0

-1.2

Base-Emitter Saturation

基極

-發射極電壓

VBE

VCE=-6V,

IC=-10mA

-0.6

-0.64

-0.7

Transition Frequency

特徵頻率

VCE=-6V,

IC=-10mA

—

160

—

MHz

Collector Output Capacitance

輸出電容

Cob

VCB=-6V,IE=0,

f=1MHz

—

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