Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

31

General Purpose Transistors

2N3903, 2N3904

Characteristics (T

Kennwerte (T

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V

2N3903

2N3904

h

FE

h

FE

20

40

–

–

–

–

V

2N3903

2N3904

h

FE

h

FE

35

70

–

–

–

–

V

2N3903

2N3904

h

FE

h

FE

50

100

–

–

150

300

V

2N3903

2N3904

h

FE

h

FE

30

60

–

–

–

–

V

2N3903

2N3904

h

FE

h

FE

15

30

–

–

–

–

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

V

f = 100 MHz

2N3903

2N3904

f

T

f

T

250 MHz

300 MHz

–

–

–

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

V

C

CB0

–

–

4 pF

Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität

V

C

EB0

–

–

8 pF

Noise figure – Rauschzahl

V

R

2N3903

2N3904

F

F

–

–

–

–

6 dB

5 dB

Switching times – Schaltzeiten

turn-on time

I

I

t

on

––

70

turn-off time

t

off

–

–

250

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R

thA

200 K/W

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

2N3905, 2N3906