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3DG882 Datasheet(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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3DG882 Datasheet(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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2 / 5 page  R 3DG882 版本：201512A 2/5 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最小值 Value(min) 最大值 Value(max) 单 位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case TO-126 Rth(j-a) - 12.5 /W ℃ 、 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 集电极—基极直流电压 Collector- Base Voltage（ IE=0） VCBO 40 V 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0） VCEO 30 V 发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage（IC=0） VEBO 5 V 最大集电极直流电流 Collector Current（DC） IC 3 A 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-126) PC 10 W 最高结温 Junction Temperature Tj 150 ℃ 贮存温度 Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ 项 目 Parameter 测试条件 Tests conditions 最小值 Value(min) 典型值 Value(typ) 最大值 Value(max) 单位 Unit ICBO VCB=30V, IE=0 - - 1 uA IEBO VEB=3V, IC=0 - - 1 uA Hfe(2) VCE =2V, IC=200mA 30 150 Hfe(3) VCE =2V, IC=1A 60 160 400 VCE(sat) IC=2A, IB=0.2A - - 0.5 V VBE(sat) IC=2A, IB=0.2A - - 2 V fT VCE=10V, IC=50mA 90 - MHz |
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