2

注：

１. これらのパラメータのいずれかを超え

る状態でデバイスを動作させると、永

久的な損傷を受ける可能性がありま

す．

で定格を下げてください．

４. 1デバイスあたり150mW．

Symbol

Parameters and Test Conditions

Units Min.

Typ. Max.

NF

Noise Figure; V

f = 0.9 GHz

dB

f = 0.9 GHz

dB

h

FE

Forward Current Transfer Ratio; V

−

50

270

I

CBO

Collector Cutoff Current; V

µA

0.2

µA

1.5

注：

１. すべてのデータは各々のトランジスタの特性です.

２. 図1のテスト回路を使用。この数字は回路のロスから計算された値です．図1の回路では入力は0.2dB、出力は0.3dBのロスが存在し

ています．

Absolute

Symbol

Parameter

Units

Maximum

V

EBO

Emitter-Base Voltage

V

1.5

V

CBO

Collector-Base Voltage

V

11

V

CEO

Collector-Emitter Voltage

V

5.5

I

C

Collector Current

mA

32

P

T

mW

150

T

j

Junction Temperature

°C

150

T

STG

Storage Temperature

°C

-65 to 150

W = 20

L = 60

W = 10

L = 450

W = 10

L = 100

TEST CIRCUIT

BOARD MATERIAL = 0.047 GETEK (

ε = 4.3)

DIMENSIONS IN MILS

NOT TO SCALE

50

Ω

50

Ω

Figure 1. Test circuit for Noise Figure and Associated Gain.

この回路は、最適な雑音指数、利得、安定性を考慮し、実用的、

総合的な整合を行なうように構成されています。

88759/04-6.PM6.0J

2001.04.25, 7:56 PM

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