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2SC5619 Datasheet(PDF) 1 Page - List of Unclassifed Manufacturers |
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2SC5619 Datasheet(HTML) 1 Page - List of Unclassifed Manufacturers |
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1 / 3 page  概要 2SC5619は、超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキシャル 形トランジスタです。 高ｆTであり、また、コレクタ損失が大きく、ディスプレイモニター用 等として最適です。 特長 ●ｆTが高い ｆT=4.5GHz標準。 ●Cobが小さい。Cob=1.0pF標準 ●超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能。 用途 TV チューナー、通信機、携帯電話等 〈小信号トランジスタ〉 2SC5619 高周波増幅用 シリコン NPN エピタキシャル形 外形図 単位：ｍｍ 電気的特性（Ta=25℃） 特性値 項目 記号 試験条件 最小 標準 最大 単位 コレクタ遮断電流 ICBO V CB=10V, I E=0mA - - 0.5 μA エミッタ遮断電流 IEBO V EB=1V, I C=0mA - - 1.0 μA 直流電流増幅率 hFE V CE=5V ,IC=20mA 50 - 250 - 利得帯域幅積 fT V CE=5V, I E=-20mA - 4.5 - GHz コレクタ出力容量 Cob V CB=5V, I E=0mA,f=1MHz - 1.0 - pF 電力利得 |S21|2 V CB=5V, I C=20mA,f=1GHz 7.5 9.0 - dB 雑音指数 NF V CE=5V, I C=5mA,f=1GHz - 1.5 - dB JEITA：SC-59 JEDEC：TO-236 類似 電極接続 ①：ベース ②：エミッタ ③：コレクタ 0.5 1.5 0.5 2.5 ① ② ③ マ ーキン グ図 形名表示 hFE ｱｲﾃﾑ GW 記号 項目 定格値 単位 VCBO コレクタ・ベース間電圧 20 V VEBO エミッタ・ベース間電圧 3 V VCEO コレクタ・エミッタ間電圧 12 V IC コレクタ電流 50 mA PC コレクタ損失（Ta=25℃） 150 mW Tj 接合部温度 +125 ℃ Tstg 保存温度 -125～ +125 ℃ |
Similar Part No. - 2SC5619 |
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Similar Description - 2SC5619 |
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