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2SC5626 Datasheet(PDF) 1 Page - List of Unclassifed Manufacturers

Part # 2SC5626
Description  TRANSISTOR
PDF  4 Pages
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2SC5626 Datasheet(HTML) 1 Page - List of Unclassifed Manufacturers

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background image
VCBO
VEBO
VCEO
I C
PC
Tj
Tstg
20
4
50
+125
-55∼+125
V
V
V
mA
mW
℃
℃
概 要
2SC5626は超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタ
キシァル形トランジスタで、高周波増幅用として設計、製
造されております。
 セットの小型化、高密度実装用として幅広くご使用いた
だけます。
特 長
・超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能
・トランジョン周波数fTが高い
用 途
小形機器の高周波増幅用
記 号
項   目
コレクタ・ベ−ス間電圧
コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
定 格 値
単位
最大定格 (Ta=25℃)
記 号
項   目
測 定 条 件
特 性 値
最小
標準
最大
単位
電気的特性 (Ta=25℃)
エミッタ・ベ−ス間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
30
I CBO
I EBO
hFE
VCE(sat)
f T
Cob
VCB= 20V, I E=0
VEB=3V, I C=0
VCE=10V, I C=5mA
I C=10mA, I B=1mA
VCE=5V, I E=-10mA
VCB=6V, I E=0, f =1MHz
50
1100
1.2
0.5
0.5
148
0.1
μA
V
MHz
pF
μA
V(BR)CBO
I C=50μA, I E=0mA
30
V
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
125
マ−キング図
S
W
形名略称
hFE アイテム
〈トランジスタ〉
2SC5626
シリコンNPNエピタキシァル形（スーパーミニタイプ）
高周波増幅用
V(BR)CEO
I C=1mA, RBE=∞
20
V
コレクタ・エミッタ降伏電圧
V(BR)EBO
I E=50μA, I C=0mA
4
V
エミッタ・ベース降伏電圧
1.5
600
電極接続
1 : ベ−ス
2 : エミッタ
3 : コレクタ
外 形 図
単位:mm
EIAJ : SC-70
JEDEC :
1.25
0.425
0.425
2.1
1
2
3


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