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D3CE60V Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # D3CE60V
Description  RectifierDiode
PDF  4 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

D3CE60V Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
www.
s
hi
ndengen.
co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
（J534-p〈2014.02〉）
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.
D3CE60V
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
１cycle
１０ms１０ms
Sine wave
Non-repetitive
Tj＝２５℃
順方向特性
Forward Voltage
０
０．
２ ０．
４ ０．
６ ０．
８1
１.２
１.６
１.４
Forward Voltage VF〔V〕
Tl＝１５０℃（MAX）
Tl＝１５０℃（TYP）
Tl＝２５℃（MAX）
Tl＝２５℃（TYP）
Pulse measurement
１
１０
０.００１
０.１
０.０１
２０
Pulse measurement
Tl＝１５０℃（TYP）
Tl＝１２５℃（TYP）
Tl＝１００℃（TYP）
Tl＝７５℃（TYP）
Tl＝５０℃（TYP）
Tl＝２５℃（TYP）
逆方向特性
Reverse Current
０.０１
０.００１
０.０００１
０.１
１００
１０
１
０
１００
４００
５００
２００
３００
６００
Reverse Voltage VR〔V〕
D＝tp/T
T
tp
IO
Tj＝１50℃
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
DC
SIN
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
０
２４
３５
１
５
４
２
１
３
０
０
０．
２
０．
６
０．
４
０．
８
１
１.２
ディレーティングカーブ
Derating Curve
０
２０４０８０
１６０
１４０
１２０
６０１００
Ambient Temperature Ta〔℃〕
DC
SIN
on glass-epoxi substrate
基板
Soldering land 1.4mm×2.1mm
Conductor layer 35μm
2インチ基板実装
銅箔パターン面積32mm2
VR＝VRM
０
０．
２
０．
６
０．
４
０．
８
１
１.４
１.６
１.２
ディレーティングカーブ
Derating Curve
０
２０４０８０
１６０
１４０
１２０
６０１００
Ambient Temperature Ta〔℃〕
DC
SIN
on glass-epoxi substrate
基板
Soldering land 1.4mm×2.1mm
Conductor layer 35μm
2インチ基板実装
銅箔パターン面積160mm2
VR＝VRM
０
１
３
２
４
５
６
ディレーティングカーブ
Derating Curve
０
２０４０８０
１６０
１４０
１２０
６０１００
Lead Temperature Tl〔℃〕
DC
SIN
VR＝VRM
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Capability
６０
５０
４０
３０
８０
７０
２０
１０
０
Number of Cycles〔cycle〕
１
１００
１０
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Capability
６０
４０
８０
１４０
１２０
１００
２０
０
Pulse Width tp〔ms〕
１
１０
tp
Sine wave
Non-repetitive
Tj＝２５℃
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
０.０１
０.１
１０００
１００
１０
１
Time t〔s〕
１０-４ １０-3
１０-2
１０-1
１０0
１０3
１０2
１０1
θja
θjl
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
０.０１
０.１
１０００
１００
１０
１
Time t〔s〕
１０-４ １０-3
１０-2
１０-1
１０0
１０3
１０2
１０1
θja
θjl
on glass-epoxi substrate
Soldering land 1.2mm
Conductor layer 35μm
基板
on glass-epoxi substrate
Soldering land 1.2mm
Conductor layer 35μm
基板
Peak Surge Forward Current Derating
vs Junction Temperature
せん頭サージ順電流減少率 - 接合部温度
１００
０
６０
８０
４０
２０
０
２５
５０
７５
１００
１２５
１５０
Junction Temperature Tj〔℃〕
銅箔パターン面積32mm2
銅箔パターン面積160mm2



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