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3DD4622HT-R-T-N-C Datasheet(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Part # 3DD4622HT-R-T-N-C
Description  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
PDF  7 Pages
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Manufacturer  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Direct Link  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

3DD4622HT-R-T-N-C Datasheet(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
3DD4622H（T、M、I）
版本：
201310A
2/7
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最小值
min
最大值
max
单
位
Unit
结到环境的热阻
Thermal Resistance Junction Ambient TO-92
Rth(j-a)
-
125
/W
℃
结到管壳的热阻
Thermal Resistance Junction Case
TO-251
Rth(j-c)
-
12.5
/W
℃
结到管壳的热阻
Thermal Resistance Junction Case
TO-126
Rth(j-c)
-
6.25
/W
℃
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（VBE=0） VCES
750
V
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（IB=0）
VCEO
450
V
发射极
—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
1.0
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
ICP
2.0
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation
PC
1
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
Ic=10mA,IB=0
450
500
-
V
V(BR)CBO
Ic=1mA,IE=0
750
850
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,Ic=0
9
14
-
V
ICBO
VCB=750V, IE=0
-
-
1
μA
ICEO
VCE=450V,IB=0
-
-
1
mA
IEBO
VEB=9V, IC=0
-
-
0.5
μA
VCE=10V, IC=100mA
15
25
35
-
hFE
VCE=5V, IC=1.0A
3.0
-
-
VCE(sat)
IC=0.5A, IB=0.1A
-
-
1.2
V
VBE(sat)
IC=0.5A, IB=0.1A
-
-
1.3
V
tf
VCC=24V IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A
-
-
0.7
μS
fT
VCE=10V, Ic=0.1A
5
-
-
MHz



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