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HBR360D Datasheet(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Part # HBR360D
Description  SCHOTTKY BARRIER DIODE
PDF  5 Pages
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Manufacturer  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Direct Link  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

HBR360D Datasheet(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
HBR360
版本
(Rev.)：201210A
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
60
V
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
VDC
60
V
正向平均整流电流
TC=125℃
Average Rectified Forward Current
IF(AV)
3
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
（额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法）
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
IFSM
80
A
最高结温
Maximum junction temperature
Tj
175
℃
储存温度
Storage temperature range
TSTG
-40~+150
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
Tj =25℃
10
μA
IR
Tj =125℃
VR=VRRM
5
mA
Tj =25℃
0.67
0.8
V
VF
Tj =125℃
IF=3A
0.63
0.68
V
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
单
位
Unit
结到环境的热阻
Thermal resistance from
junction to ambient
DO-201AD
Rth(j-a)
25
/W
℃
2/5



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