2013/9/3 

p.4 

EMB35N04CS

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

6.0 V

1.6

0.8

0

1.2

1.0

1.4

10

20

5.0 V

2.2

1.8

2.0

2.4

30

40

7.0 V

8.0 V

10 V

50

I   ‐ Drain Current(A)

D

GS

V    = 4.5 V

On‐Resistance Variation with Temperature

T   ‐ Junction Temperature (° C)

0.4

‐50

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = 10A

V     = 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 125°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0.01

2

0.02

0.04

0.03

GS

4

6

T   = 25°C

A

A

0.08

0.06

0.05

0.07

0.09

810

I   = 10 A

D

T   = ‐55°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

1

5

0

10

2

GS

V   = 10V

20

15

25

30

DS

A

4

3

5

25°C

125°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation with 

Source Current and Temperature

25° C

T   = 125° C

V   ‐ Body Diode Forward Voltage(V)

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

A

GS

1.0

0.8

1.2

‐55° C

1.4

V   ‐ Drain‐Source Voltage(V)

0

0

10

DS

2

4

8.0V

V   = 10V

20

30

7.0V

GS

5.0V

68

10

4.5V

On‐Region Characteristics

50

40

6.0V

TYPICAL CHARACTERISTICS