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EMBA0N10CS Datasheet(PDF) 2 Page - Excelliance MOS Corp.

Part # EMBA0N10CS
Description  N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF  5 Pages
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Manufacturer  EXCELLIANCE [Excelliance MOS Corp.]
Direct Link  http://www.excelliancemos.com/
Logo EXCELLIANCE - Excelliance MOS Corp.

EMBA0N10CS Datasheet(HTML) 2 Page - Excelliance MOS Corp.

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2013/10/8 
p.2 
EMBA0N10CS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP
MAX
STATIC 
Drain‐Source Breakdown Voltage 
V(BR)DSS 
VGS = 0V, ID = 250A 
100  
 
V 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS = VGS, ID = 250A 
1.0 
1.8
3.0 
Gate‐Body Leakage 
IGSS 
VDS = 0V, VGS = ±20V  
 
±100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS 
VDS = 80V, VGS = 0V  
 
1 
A
VDS = 70V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  
 
25 
On‐State Drain Current
1 
ID(ON) 
VDS = 10V, VGS = 10V 
12  
 
A 
Drain‐Source On‐State Resistance
1 
RDS(ON) 
VGS = 10V, ID = 12A  
90
100
mΩ
VGS = 5V, ID = 8A  
100
125
Forward Transconductance
1 
gfs 
VDS = 5V, ID = 12A  
9  
S 
DYNAMIC 
Input Capacitance 
Ciss  
VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz 
 
1490
 
pF
Output Capacitance 
Coss  
76
 
Reverse Transfer Capacitance  
Crss  
63
 
Gate Resistance 
Rg 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz  
1.7
 Ω 
Total Gate Charge
1,2 
Qg 
VDS = 80V, VGS = 10V, 
ID = 10A 
 
34
 
nC
Gate‐Source Charge
1,2 
Qgs  
3.5
 
Gate‐Drain Charge
1,2 
Qgd  
9.2
 
Turn‐On Delay Time
1,2 
td(on)  
 
10
 
nS
Rise Time
1,2 
tr 
VDS = 50V,  
 
25
 
Turn‐Off Delay Time
1,2 
td(off) 
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
20
 
Fall Time
1,2 
tf  
 
20
 
SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
IS  
 
 
12 
A 
Pulsed Current
3 
ISM  
 
 
40 
Forward Voltage
1 
VSD 
IF = IS, VGS = 0V  
 
1.3 
V 
Reverse Recovery Time  
trr 
IF = 10A, dlF/dt = 100A / S 
 
50
 
nS
Reverse Recovery Charge 
Qrr  
 
85
 
nC
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 
2Independent of operating temperature. 



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