SW2658A datasheet(8/9 Pages) SEMIPOWER

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SW2658A

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SW2658A-CN-02

 频率抖动改善EMI性能

SW2658A 具有频率抖动功能(随机开关频率调整),开关频率调整分散了谐波干扰能量。扩展的频

谱降低了窄带 EMI,因此简化了系统设计。

 正常振荡频率

SW2658A内部设计有固定的50KHz的标准开关频率,无需外部电容电阻等设定频率元器件,有效的简化

了PCB设计。

 电流采样和前沿消隐

SW2658A采用电流模式PWM控制技术,具有逐周期电流限制功能。

由于缓冲二极管反向恢复电流和

内部功率MOSFET栅极浪涌电流,会在MOSFET导通瞬间的开关电流上引起脉冲电流,开关电流通过感应电阻

被转变为电压反馈到SENSE端口。MOSFET导通瞬间的脉冲电流可能会引起错误的控制。内部前沿消隐电路

就是为了屏蔽SENSE端口在MOSFET导通瞬间的感应电流脉冲,防止错误的控制。这样就可以为系统节省一个

外部的RC网络。在前沿消隐时间内,电流限制比较器禁止关闭内部功率MOSFET。PWM的占空比有SENSE电压

和FB电压共同控制。

 内部斜波补偿

内置的斜波补偿电路增加控制PWM 信号SENSE 端口感应电压斜率。这极大的改善了系统工作在

CCM 模式的闭环稳定性，防止次谐波振荡，减小输出纹波电压。

 驱动

SW2658A内置功率 MOSFET 是通过一个专用的栅极驱动控制。太弱的栅极驱动能力将导致高的传导

和开关损耗。太强的栅极驱动EMI 特性较差。内置的Totem Pole 栅极驱动设计可以很好的解决驱动强度

和死区控制时间。这个专用的控制原理更容易实现系统低损耗和良好的EMI 特性设计。除此之外，栅极的

驱动强度也可以通过调整VDD 和VDDG 之间的电阻实现。可以很好的控制漏极的下降沿。使得系统的EMI

设计具有很大的灵活性

 保护控制

SW2658A为了确保系统的正常工作内置了多重保护措施。当这些保护措施一旦被触发，将关断功率

MOSFET。这些保护措施包括逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD 欠压锁定（UVLO）保

护、过压保护（OVP）和VDD 箝位功能。逐周期电流限制（OCP）带有线电压补偿，可实现宽输入电压

范围（85V~265V）时恒定功率输出控制。当FB 端电压超过过载限制阈值TD_PL（典型50ms）时间后，控

制电路关闭开关管，该状态一直保持。直到VDD 电压下降到UVLO（ON）阈值后，进入重启序列。VDD

电压由变压器辅助绕组提供。当 VDD电压超过过压保护（OVP）阈值时，SW2658A将关闭输出，该状态

一直保持。直到VDD 电压下降到UVLO（ON）阈值后，进入重启序列。当VDD 电压超过VDD 箝位阈值

时，内部VDD 箝位电路将VDD 箝位在30V 以保护VDD 端口。此时 SW2658A的输出仍然是关闭的。

SW2658A Datasheet(PDF) 8 Page - Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.