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P4F60HP2 Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # P4F60HP2
Description  Power MOSFET
PDF  4 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

P4F60HP2 Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
www.
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hi
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co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
（MOSFET〈2012.06〉）
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
０
６
７
８
５
４
３
１
２
０５
１０
２０
１５
Pulse measurement
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
TC=２５℃
TYP
VVGS
GS
==１０
１０VV
VGS=１０V
８V
６V
VVGS
GS
==５
５VV
VGS=５V
出力特性
Typical Output Characteristics
伝達特性
Transfer Characteristics
０５
１０
２０
１５
Pulse measurement
Gate・Source Voltage VDS〔V〕
VDS=２０V
TYP
０
５
８
７
６
３
１
４
２
Pulse measurement
VDS=２０V
TYP
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
１
５
０．
５
０．
１
８
１
VGS＝10V
Tc＝２５℃
TYP
Pulse measurement
Drain Current ID〔A〕
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
１０
１
５０
０．
１
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝10V
TYP
Pulse measurement
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
IIDD==２
２A
A
ID=２A
安全動作領域
Safe Operating Area
４
１２
１６
３０
０．
０１
０．
１
１
８
１０
１
６００
１００
１０００
Tc＝２５℃
Single pulse
DC
DC
DC
10ms
10ms
10ms
1ms
1ms
1ms
100μs
100μs
100μs
10μs
10μs
10μs
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１０
０.００１
０.０１
１
０.１
１０−４
１０−５
１０−３ １０−２ １０−１ １００ １０１ １０2 １０3
Time t〔s〕
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
１００００
１０００
１００
１
１０
Tc＝２５℃
f＝１MHz
TYP
０
１００
６００
５００
２００
４００
３００
Drain・Source Voltage VDS〔Ｖ〕
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率─ケース温度
Power Derating - Case Temperature
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
Case Temperature Tc〔℃〕
VVＧＧSS
VＧS
VVDS
DS
VDS
０
１６
２０
１２
４
８
ゲートチャージ特性
０
５００
４００
２００
３００
１００
Gate Charge Characteristics
０５
１０
２０
１５
ID=４A
TYP
Total Gate Charge Qg〔nC〕
VVDD
DD
==４００
４００Ｖ
Ｖ
２００
２００Ｖ
Ｖ
１００
１００Ｖ
Ｖ
VDD=４００Ｖ
２００Ｖ
１００Ｖ
単発アバランシェエネルギー減少率 - チャネル温度
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
１００
０
８０
６０
４０
２０
０
５０
１００
１５０
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
VDD=100V
VGS=15V, −0V
Rg=100Ω
単発アバランシェ電流-インダクタンス
Single Avalanche Current vs Inductive Load
０.１
１
４
１０
０.０1
０.1
１
１０
１００
Inductance L〔mH〕
IIAS
AS
==４
４A
A
EEAS
AS
==４０
４０mJ
mJ
IAS=４A
EAS=４０mJ
Ｔｃ=１５０℃
Ｔｃ=１００℃
Ｔｃ= ２５℃
Ｔｃ=−５５℃
−５５
０
１００
１５０
５０
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
６
５
４
３
２
１
VDS＝１０V
ID=１mA
TYP
Pulse measurement
Case Temperature Tc〔℃〕
RDS（ON）Limited
（at VGS=10V）
Power Dissipation
Limited
EAR=４mJ
P4F60HP2
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.
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