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P4F60HP2 Datasheet(PDF) 1 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd |
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1 / 4 page  外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mensi ons,r ef ert oourweb si t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hespeci f i cat i on"Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on". www. s hi ndengen. co. j p/ pr oduct / s emi / （MOSFET〈2012.06〉） 単位 Uni t 規格値 Rat i ngs 条 件 Condi t i ons 記号 Symbol 項 目 I t em ℃ －55～150 Tstg 保存温度 St or ageT emper at ur e 150 Tch チャネル温度 Channel T emper at ur e V 600 VDSS ドレイン・ソース間電圧 Dr ai n- Sour ceVol t age ±30 VGSS ゲート・ソース間電圧 Gat eSour ceVol t age A 4 ID ドレイン電流（直流） Cont i nuousDr ai nCur r ent( DC) 16 パルス幅 10 μs,dut y=1/100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 IDP ドレイン電流（ピーク） Cont i nuousDr ai nCur r ent( Peak ) 4 IS ソース電流（直流） Cont i nuousSour ceCur r ent( DC) W 62. 5 PT 全損失 T ot al PowerDi s s i pat i on A 4 Starti ngTch=25℃,Tch≦150℃ IAR 繰り返しアバランシェ電流 Repet i t i v eAv al ancheCur r ent mJ 40 Starti ngTch=25℃,Tch≦150℃ EAS 単発アバランシェエネルギー Si ngl eAv al ancheEner gy mJ 4 Starti ngTch=25℃,Tch≦150℃ EAR 繰り返しアバランシェエネルギー Repet i t i v eAv al ancheEner gy A/μs 350 Is＝4A,Tc＝25℃ di /dt ドレイン・ソースダイオード耐量 Dr ai n- Sour ceDi odedi / dt kV 2 一括端子・ケース間，AC1分間印加 T er mi nal st ocas e,AC1mi nut e Vdi s 絶縁耐圧 Di el ect r i cSt r engt h N・m 0. 5 （推奨値：0. 3N・m） ( Recommendedt or que: 0. 3N ・m) TOR 締め付けトルク Mount i ngT or que P4F60HP2 600V4A ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 Absol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 Tc＝25℃/unl essotherwi sespeci fi ed） ●電気的・熱的特性 El ect r i calChar act er i st i cs （指定のない場合 Tc＝25℃/unl essotherwi sespeci fi ed） Uni t：mm ■外観図 OUTLI NE 単位 Uni t 規格値 Rati ngs 条 件 Condi t i ons 記号 Symbol 項 目 I t em MAX TYP MIN V ─ ─ 600 ID＝1mA,VGS＝0V V（BR）DSS ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr ai n- Sour ceBr eak downVol t age μA 100 ─ ─ VDS＝600V,VGS＝0V IDSS ドレイン遮断電流 Zer oGat eVol t ageDr ai nCur r ent ±10 ─ ─ VGS＝±25V,VDS＝0V IGSS ゲート漏れ電流 Gat e- Sour ceLeak ageCur r ent S ─ 5. 0 2. 5 ID＝2A,VDS＝10V gfs 順伝達コンダクタンス For war dT r ans conduct ance Ω 1. 8 1. 5 ─ ID＝2A,VGS＝10V R（DS）ON ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai n- Sour ceOn- s t at eRes i s t ance V 4. 5 3. 75 3. 0 ID＝1mA,VDS＝10V VTH ゲートしきい値電圧 Gat eThr es hol dVol t age 1. 5 ─ ─ IS＝2A,VGS＝0V VSD ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour ce- Dr ai nDi odeFor war dVol t age ℃/W 2 ─ ─ 接合部・ケース間 J unct i ont ocas e θjc 熱抵抗 Ther mal Res i s t ance nC ─ 12. 5 ─ VDD＝400V,VGS＝10V,ID＝4A Qg ゲート全電荷量 T ot al Gat eChar ge pF ─ 505 ─ VDS＝50V,VGS＝0V,f＝1MHz Ci ss 入力容量 I nputCapaci t ance ─ 3. 8 ─ Crss 帰還容量 Rev er s eT r ans f erCapaci t ance ─ 48 ─ Coss 出力容量 Out putCapaci t ance ns ─ 16 ─ ID＝2A,RL＝75Ω,VDD＝150V,Rg=50Ω, VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V td （on） ターンオン遅延時間 T ur n- ondel ayt i me ─ 10 ─ tr 上昇時間 Ri s et i me ─ 40 ─ td （off） ターンオフ遅延時間 T ur n- of fdel ayt i me ─ 28 ─ tf 降下時間 Fal l t i me PowerMOSFET Package：FTO- 220AG （3pi n） 3F60H2 Type No. 品名略号 Date code ロット記号（例） Control No. 管理番号（例） 4.5 2.54 2.54 0000 ③ ① 10.０ ② ① ② ③ G D S : : : 特長 煙 高耐圧 煙 低オン抵抗 煙 高速スイッチング 煙 高アバランシェ耐量、高 di / dt耐量 Feat ur e 煙 Hi ghVol t age 煙 LowRON 煙 FastSwi t chi ng 煙 Hi ghAval anchedur abi l i t y,Hi ghdi / dtdur abi l i t y Page:62 |
Similar Part No. - P4F60HP2 |
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