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P25B6EB Datasheet(PDF) 1 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd |
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1 / 4 page  外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mensi ons,r ef ert oourweb si t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hespeci f i cat i on"Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on". www. s hi ndengen. co. j p/ pr oduct / s emi / （MOSFET〈2012.06〉） Package：FB 単位 Uni t 規格値 Rat i ngs 条 件 Condi t i ons 記号 Symbol 項 目 I t em ℃ －55～150 Tstg 保存温度 St or ageT emper at ur e 150 Tch チャネル温度 Channel T emper at ur e V 60 VDSS ドレイン・ソース間電圧 Dr ai n- Sour ceVol t age ±20 VGSS ゲート・ソース間電圧 Gat eSour ceVol t age A 25 ID ドレイン電流（直流） Cont i nuousDr ai nCur r ent( DC) 70 パルス幅 10μs,dut y=1/ 100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 IDP ドレイン電流（ピーク） Cont i nuousDr ai nCur r ent( Peak ) W 35 PT 全損失 T ot al PowerDi s s i pat i on A 16 Starti ngTch=25℃,Tch≦150℃ IAS 単発アバランシェ電流 Si ngl eAv al ancheCur r ent mJ 29 Starti ngTch=25℃,Tch≦150℃ EAS 単発アバランシェエネルギー Si ngl eAv al ancheEner gy ④ ③ ② ① 2.3 2.3 6.6 2.3 ① ② ③ ④ G D S D : : : : P25B6EB 000A00 Date code ロット記号（例） Type No. 品名略号 Control No. 管理番号（例） P25B6EB 60V25A ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 Absol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 Tc＝25℃/unl essotherwi sespeci fi ed） ●電気的・熱的特性 El ect r i calChar act er i st i cs （指定のない場合 Tc＝25℃/unl essotherwi sespeci fi ed） Uni t：mm ■外観図 OUTLI NE 単位 Uni t 規格値 Rati ngs 条 件 Condi t i ons 記号 Symbol 項 目 I t em MAX TYP MIN V ─ ─ 60 ID＝1mA,VGS＝0V V（BR）DSS ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr ai n- Sour ceBr eak downVol t age μA 1 ─ ─ VDS＝60V,VGS＝0V IDSS ドレイン遮断電流 Zer oGat eVol t ageDr ai nCur r ent ±10 ─ ─ VGS＝±20V,VDS＝0V IGSS ゲート漏れ電流 Gat e- Sour ceLeak ageCur r ent S ─ 12. 0 6. 0 ID＝12. 5A,VDS＝10V gfs 順伝達コンダクタンス For war dT r ans conduct ance mΩ 29. 0 23. 0 ─ ID＝12. 5A,VGS＝10V R（DS）ON ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai n- Sour ceOn- s t at eRes i s t ance 40. 0 29. 5 ─ ID＝12. 5A,VGS＝4. 5V V 2. 5 2. 0 1. 5 ID＝1mA,VDS＝10V VTH ゲートしきい値電圧 Gat eThr es hol dVol t age 1. 5 ─ ─ IS＝25A,VGS＝0V VSD ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour ce- Dr ai nDi odeFor war dVol t age ℃/W 3. 55 ─ ─ 接合部・ケース間 J unct i ont ocas e θjc 熱抵抗 Ther mal Res i s t ance nC ─ 14. 5 ─ VDD＝48V,VGS＝10V,ID＝25A Qg ゲート全電荷量 T ot al Gat eChar ge ─ 3. 3 ─ Qgs ゲートソース電荷量 Gat et oSour ceChar ge ─ 4. 5 ─ Qgd ゲートドレイン電荷量 Gat et oDr ai nChar ge pF ─ 785 ─ VDS＝25V,VGS＝0V,f＝1MHz Ci ss 入力容量 I nputCapaci t ance ─ 45 ─ Crss 帰還容量 Rev er s eT r ans f erCapaci t ance ─ 115 ─ Coss 出力容量 Out putCapaci t ance ns ─ 18 ─ ID＝12. 5A,RL＝2. 4Ω,VDD＝30V,Rg＝0Ω, VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V td （on） ターンオン遅延時間 T ur n- ondel ayt i me ─ 110 ─ tr 上昇時間 Ri s et i me ─ 55 ─ td （off） ターンオフ遅延時間 T ur n- of fdel ayt i me ─ 80 ─ tf 降下時間 Fal l t i me 特長 煙 高速スイッチング 煙 低オン抵抗 Feat ur e 煙 FastSwi t chi ng 煙 LowRON PowerMOSFET |
Similar Part No. - P25B6EB |
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