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EMB70N08CS Datasheet(PDF) 2 Page - Excelliance MOS Corp.

Part # EMB70N08CS
Description  N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF  5 Pages
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Manufacturer  EXCELLIANCE [Excelliance MOS Corp.]
Direct Link  http://www.excelliancemos.com/
Logo EXCELLIANCE - Excelliance MOS Corp.

EMB70N08CS Datasheet(HTML) 2 Page - Excelliance MOS Corp.

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2012/7/18 
p.2 
EMB70N08CS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
LIMITS 
UNIT
MIN 
TYP
MAX
STATIC 
Drain‐Source Breakdown Voltage 
V(BR)DSS 
VGS = 0V, ID = 250A 
80  
 
V 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS = VGS, ID = 250A 
1.0 
1.7
3.0
Gate‐Body Leakage 
IGSS 
VDS = 0V, VGS = ±20V  
 
±100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS 
VDS = 64V, VGS = 0V  
 
1 
A
VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  
 
25 
On‐State Drain Current
1 
ID(ON) 
VDS = 5V, VGS = 10V 
15  
 
A 
Drain‐Source On‐State Resistance
1 
RDS(ON) 
VGS = 10V, ID = 15A  
55 
65 
mΩ
VGS = 5V, ID = 10A  
68 
85 
Forward Transconductance
1 
gfs 
VDS = 5V, ID = 15A  
12  
S 
DYNAMIC 
Input Capacitance 
Ciss  
VGS = 0V, VDS = 30V, f = 1MHz 
 
1110
 
pF
Output Capacitance 
Coss  
60  
Reverse Transfer Capacitance  
Crss  
51  
Total Gate Charge
1,2 
Qg  
VDS = 40V, VGS = 10V, 
ID = 15A 
 
15  
nC
Gate‐Source Charge
1,2 
Qgs  
1.7
 
Gate‐Drain Charge
1,2 
Qgd  
4.1
 
Turn‐On Delay Time
1,2 
td(on)  
 
10  
nS
Rise Time
1,2 
tr 
VDS = 40V,  
 
8  
Turn‐Off Delay Time
1,2 
td(off) 
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
18  
Fall Time
1,2 
tf  
 
6  
SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
IS  
 
 
15 
A 
Pulsed Current
3 
ISM  
 
 
60 
Forward Voltage
1 
VSD 
IF = IS, VGS = 0V  
 
1.3 
V 
Reverse Recovery Time  
trr 
IF = 10A, dlF/dt = 100A / S 
 
120
 
nS
Reverse Recovery Charge 
Qrr  
 
500
 
nC
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 



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