2012/7/18 

p.4 

EMB70N08CS

T   = ‐55°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0

2

5

GS

3

4

DS

V   = 5V

20

10

15

25

A

5

6

7

25°C

125°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

T   = 125°C

0.6

0.1

0.0001

0

0.001

0.01

SD

0.2

0.4

V    = 0V

1

10

100

A

GS

0.8

1.0

‐55°C

1.2

V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

T   = 25°C

T   = 125°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0.09

0

2

0.03

0.06

GS

46

A

0.18

0.12

0.15

0.21

A

810

I   = 7.5 A

D

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

On‐Resistance Variation with Temperature

T   ‐ Junction Temperature (°C)

0.4

‐50

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = 15A

V     = 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150

V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

0

0

20

DS

4

V   = 10V

40

7V

8V

GS

6V

812

5V

16

5.5V

On‐Region Characteristics

50

30

10

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

7.0 V

5.5 V

8.0 V

10 V

6.0 V

I   ‐ Drain Current( A )

0.8

0

1.0

1.2

D

10

20

V    = 5.0 V

1.4

1.6

1.8

GS

30

40

50

TYPICAL CHARACTERISTICS