75

A

100

A

min.

typ.

max.

-

1,7

2,1

V

-

2

t.b.d.

V

I²t

-

400

nA

gate emitter leakage current

Gate Emitter Reststrom

-

0,2

-

nF

reverse transfer capacitance

Rückwirkungskapazität

-

5

5,8

6,5

V

A

DC forward current

+/- 20

1,19

kA²s

150

A

Grenzlastintegral

150

Dauergleichstrom

75

repetitive peak collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

W

V

gate emitter peak voltage

repetitive peak forward current

Gate Schwellenspannung

I²t value

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor Emitter Sperrspannung

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

collector emitter voltage

1200

V

kV

2,5

A

nF

-

vorläufige Daten

preliminary data

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

date of publication: 2001-08-16

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

collector emitter satration voltage

Periodischer Spitzenstrom

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

Gate Emitter Spitzenspannung

Charakteristische Werte / characteristic values

approved: Martin Hierholzer

input capacitance

gate charge

Gateladung

Technische Information / technical information

FS75R12KE3 G

IGBT-Module

IGBT-Modules

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f= 50Hz, t= 1min

350

Kollektor Emitter Reststrom

prepared by: Mark Münzer

gate threshold voltage

Eingangskapazität

revision: 2

5,3

-

-

-

5

mA

collector emitter cut off current

-

0,7

-

µC

1 (8)

Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls

2001-08-16